پهنای کل لایه ها تقریبا 150 برابر پهنای لایه وسط است

پهنای کل > پهنای امیتر >> پهنای بیس

دانسیته ی ناخالصی در طرفین تقریبا 10 برابر دانسیته ی نا خالصی در بیس است

دانسیته امیتر> دانسیته کلکتور >> دانسیته بیس

عناصر Integrated

معمولا ترانزیستور تولید انبوه دارد لذا یک نوار Si قرار میدهند و روی آن E,B,C را میکنند که به این تکنولوژی Planar Technology میگویند.

معمولا C را خیلی منظم میسازند و structure خوبی دارد. به همین دلیل مقاومت C کمتر از E و بسیار کمتر از B است

عناصر Discrete

نظرات شما عزیزان:

نام :

آدرس ایمیل:

وب سایت/بلاگ :

متن پیام:

نظر خصوصی

 کد را وارد نمایید:

 

 

 

عکس شما

آپلود عکس دلخواه: